場(chǎng)效應(yīng)管的作用表現(xiàn)在變大信號(hào)，因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管放大器可以輸入很高的阻抗，所以耦合電可以較小，就不必再使用電接點(diǎn)器，所以抗阻變化就非常適合場(chǎng)效應(yīng)管，它還應(yīng)用于可變電阻，當(dāng)他用作恒流源時(shí)非常方便，電子開關(guān)也是場(chǎng)效應(yīng)管經(jīng)常出沒的場(chǎng)所。它列為電壓控制型半導(dǎo)體器件，有著電阻輸入高、消耗的功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、聲音小、容易集成、無第二次的穿透現(xiàn)象、工作的安全范圍大等等優(yōu)點(diǎn)，是結(jié)型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)有力競(jìng)爭(zhēng)者。

場(chǎng)效應(yīng)管的分類：

1、按溝道半導(dǎo)體材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。

2、場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管因有兩個(gè)PN結(jié)而得名，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中，應(yīng)用最為廣泛的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOS管(即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET);此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管，以及最近剛問世的πMOS場(chǎng)效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。

3、場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。